商業模式(shi)：設(she)備(bei)(bei)作為工業投(tou)資(zi)品是(shi)(shi)(shi)終端(duan)需求的(de)(de) “二階導”，設(she)備(bei)(bei)環節是(shi)(shi)(shi)由下游產能投(tou)資(zi)驅動的(de)(de)周(zhou)期成(cheng)長股(gu)；光伏(fu)設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)不同(tong)之處：設(she)備(bei)(bei)技(ji)術迭代是(shi)(shi)(shi)推動光伏(fu)行業增效降本的(de)(de)關鍵環節，較(jiao)快的(de)(de)迭代周(zhou)期使得 設(she)備(bei)(bei)呈現(xian)“耗(hao)材”屬性(xing)。
設備“耗材(cai)化”對基本面的影響：成長期：技(ji)術迭(die)代(dai)拉(la)長設備高景氣的持(chi)續時(shi)間(jian)(jian)；市(shi)(shi)場空(kong)間(jian)(jian)及增速：每一輪技(ji)術迭(die)代(dai)存量(liang)設備全(quan)部(bu)更(geng)新，市(shi)(shi)場空(kong)間(jian)(jian)更(geng)大(da)，新技(ji)術變革落地爆發(fa)性很強；競爭格(ge)(ge)局：技(ji)術持(chi)續更(geng)新，有先(xian)發(fa)優勢的頭部(bu)企業(ye)具備較強議價權，享受(shou)較好格(ge)(ge)局及超額盈利。現狀及展(zhan)(zhan)望(wang)：當前現狀：光伏行業仍處于(yu)成長階(jie)段，短期下游(you)新增裝機量(liang)增速邊際放緩；未來展(zhan)(zhan)望(wang)：重點關注新技術變革中的(de)結構性成長機會，把握在新技術中搶占(zhan)先機的(de)優質龍頭(tou)公司(si)。光伏(fu)設(she)(she)備：一代技術、一代工藝、一代設(she)(she)備降本增效驅動(dong)光伏技(ji)(ji)術快速迭(die)(die)代(dai)(dai)，技(ji)(ji)術迭(die)(die)代(dai)(dai)帶(dai)來設(she)(she)備持續升(sheng)級 。硅片(pian)(pian)端：N型替(ti)代(dai)(dai)P型、大尺(chi)寸(cun)、薄片(pian)(pian)化(hua)、半片(pian)(pian)前置是未來發展趨(qu)勢。其中大尺(chi)寸(cun)技(ji)(ji)術滲透率85%以(yi)上，薄片(pian)(pian)化(hua)和半片(pian)(pian)技(ji)(ji)術仍在持續推進；主要受益設(she)(she)備包括：單晶爐（低(di)氧單晶爐）、切割設(she)(she)備、金剛線(xian)（細線(xian)化(hua)、鎢絲(si)）。電(dian)池(chi)端：TOPCon率先放(fang)量，中(zhong)期HJT有望降本(ben)放(fang)量,長期鈣(gai)鈦(tai)礦疊(die)層電(dian)池(chi)空間廣闊(kuo)。對應新技(ji)術包(bao)括：TOPCon（LPCVD雙插、雙面(mian)PEPoly）、HJT（銅(tong)電(dian)鍍、銀(yin)包(bao)銅(tong)、激光(guang)轉印、0BB）、鈣(gai)鈦(tai)礦（涂(tu)布技(ji)術、激光(guang)技(ji)術）；主要(yao)受(shou)益設備(bei)：鍍膜(mo)設備(bei)、新技(ji)術相(xiang)關(guan)設備(bei)等。組件(jian)端：多主柵(zha)(zha)+無(wu)(wu)主柵(zha)(zha)+半片(pian)技(ji)術(shu)(shu)推(tui)動(dong)組件(jian)設備更新(xin)迭(die)代(dai)。組件(jian)端新(xin)技(ji)術(shu)(shu)屬(shu)于被動(dong)迭(die)代(dai)，主要(yao)受(shou)硅片(pian)端和(he)電池片(pian)端技(ji)術(shu)(shu)推(tui)動(dong)，包括多/ 無(wu)(wu)主柵(zha)(zha)焊接技(ji)術(shu)(shu)、半片(pian)、三分(fen)片(pian)技(ji)術(shu)(shu)、薄(bo)片(pian)串焊技(ji)術(shu)(shu)。主要(yao)受(shou)益設備：串焊機(ji)、激光劃片(pian)機(ji)、疊片(pian)機(ji)等。光伏設備市(shi)場空間(jian)：技術迭代帶來增量市(shi)場空間(jian)2023年(nian)(nian)硅片設備(bei)市(shi)場規模有所下降，電(dian)池片設備(bei)空間大幅上升，組件(jian)設備(bei)規模較(jiao)為穩定 。2023年(nian)(nian)光(guang)伏(fu)新(xin)增裝(zhuang)機(ji)(ji)容量(liang)：PV-InfoLink預(yu)期2023年(nian)(nian)全球新(xin)增裝(zhuang)機(ji)(ji)容量(liang)約(yue)350GW，Trendforce預(yu)期2023年(nian)(nian)全球新(xin)增光(guang)伏(fu)裝(zhuang)機(ji)(ji)量(liang)將達到 351GW，CPIA預(yu)計2023年(nian)(nian)光(guang)伏(fu)全球新(xin)增裝(zhuang)機(ji)(ji)容量(liang)約(yue)305-350GW。綜(zong)合來看,2023年(nian)(nian)光(guang)伏(fu)新(xin)增裝(zhuang)機(ji)(ji)容量(liang)預(yu)計350GW。硅片(pian)設備(bei)空間(jian)：硅片(pian)設備(bei)單GW投資約(yue)1.5-2億(yi)/GW，其中單晶爐價值量占比約(yue)65%-70%，切片(pian)機占比約(yue)15%，預計2023/2024/2025年硅片(pian)設 備(bei)市場空間(jian)約(yue)263/239/188億(yi)元。電池(chi)片(pian)設(she)(she)備(bei)空間：PERC設(she)(she)備(bei)單(dan)GW投(tou)資額約1.3-1.5億(yi)元(yuan)(yuan)，TOPCon設(she)(she)備(bei)單(dan)GW投(tou)資額約1.5-1.8億(yi)元(yuan)(yuan)，HJT單(dan)GW投(tou)資額約3.5-4億(yi)元(yuan)(yuan)左右(you)，預計 2023/2024/2025年電池(chi)片(pian)設(she)(she)備(bei)市場(chang)空間約616/705/800億(yi)元(yuan)(yuan)。組(zu)件設備市場(chang)空間：設備單GW投資額約(yue)(yue)0.7億元，其中串焊機價值(zhi)量占(zhan)比約(yue)(yue)35%，預(yu)計2023/2024/2025年組(zu)件設備市場(chang)空間約(yue)(yue)220/275/211 億元。
硅片設備
硅片設備：N型、大尺(chi)寸、薄片化為主(zhu)要趨勢硅(gui)片設備需求核心驅(qu)動力為新增裝機容量(liang)，技(ji)術(shu)迭代主要(yao)適應(ying)硅(gui)片大尺(chi)寸、薄(bo)片化趨勢。核心驅動力：新增光(guang)伏裝機容量、新技術(shu)變革。大(da)尺寸：166向182、210轉變，目前182已(yi)成為主流，并向210發展；硅片(pian)大(da)尺寸趨勢帶動設備(bei)端呈(cheng)現大(da)尺寸變化。薄(bo)片化：N型硅片硅片已(yi)實現120-140μm量產(chan)，部(bu)分(fen)先進企業中試線(xian)量產(chan)80μm硅片，薄(bo)片化對設備加工要(yao)求更高，以(yi)及對金(jin)剛線(xian)的細線(xian) 化需求更高。P型(xing)→N型(xing)：隨(sui)著N型(xing)電池片的快速擴(kuo)產(chan)，N型(xing)硅(gui)片已(yi)成為未來趨(qu)勢，硅(gui)片N型(xing)化對拉晶設備、硅(gui)片設備加(jia)工精度要求更高。核(he)心設(she)(she)備：拉晶(jing)環節，單晶(jing)爐為核(he)心設(she)(she)備，真空泵(beng)作為單晶(jing)爐的配(pei)套(tao)設(she)(she)備，用于建立真空環境。核心(xin)耗材：拉晶(jing)過程中，單晶(jing)爐(lu)里配(pei)套(tao)使用的耗材包括石英(ying)坩堝、碳碳熱(re)場。當(dang)前關(guan)注(zhu)點：主要關(guan)注(zhu)供(gong)需(xu)，重點關(guan)注(zhu)石英坩堝供(gong)應情況、連續直拉（CCZ）工藝、顆粒硅以及(ji)低氧(yang)型(xing)單晶爐(lu)進展。拉晶(jing)工藝(yi)：直拉法(fa)是生產(chan)硅棒(bang)的主要(yao)方(fang)式直拉法(fa)是(shi)(shi)生產(chan)硅(gui)(gui)(gui)棒的主要方(fang)式。拉晶是(shi)(shi)指(zhi)在特(te)定環境下，將多(duo)晶硅(gui)(gui)(gui)料生長(chang)成(cheng)硅(gui)(gui)(gui)體(ti)的過程(cheng)，目(mu)前硅(gui)(gui)(gui)棒生產(chan)主要以(yi)單(dan)(dan)晶硅(gui)(gui)(gui)棒為主。單(dan)(dan)晶硅(gui)(gui)(gui)棒主要采用(yong)直拉法(fa)或區(qu)熔法(fa)；多(duo)晶 硅(gui)(gui)(gui)棒主要采用(yong)鑄錠法(fa)形成(cheng)多(duo)晶硅(gui)(gui)(gui)錠。直拉(la)法：光伏(fu)單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)棒生(sheng)產的(de)主要方法。通(tong)過石墨電阻加熱，將(jiang)裝在坩堝中的(de)多晶(jing)(jing)硅(gui)熔化，然后將(jiang)籽晶(jing)(jing)插入熔體表(biao)面(mian)進行熔接，經(jing)過引 晶(jing)(jing)、放肩、轉肩、等(deng)徑、收尾等(deng)步驟(zou)，完成單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)棒拉(la)制。優點是價格(ge)便(bian)宜，可(ke)拉(la)制直徑大、生(sheng)長速(su)率可(ke)；缺點是雜質較高(gao)。區(qu)熔法(fa)(fa)(fa)：利用(yong)熱能(neng)在多晶硅錠一段產(chan)生(sheng)(sheng)融區(qu)，熔接單晶籽晶，通過調節溫度使得融區(qu)緩(huan)慢(man)上移，生(sheng)(sheng)成單晶硅棒(bang)(bang)。區(qu)熔法(fa)(fa)(fa)不需要使用(yong)坩堝， 產(chan)品的純度高，雜質少，但受生(sheng)(sheng)長機(ji)制(zhi)的限制(zhi)，區(qu)熔法(fa)(fa)(fa)通常用(yong)于生(sheng)(sheng)產(chan)8英(ying)寸(cun)以下硅棒(bang)(bang)，常用(yong)做IGBT功率半(ban)導體器(qi)件硅棒(bang)(bang)生(sheng)(sheng)產(chan)。拉晶(jing)(jing)(jing)設(she)備及(ji)耗材：單晶(jing)(jing)(jing)爐是拉晶(jing)(jing)(jing)環(huan)節的核心設(she)備單(dan)晶(jing)爐為拉晶(jing)環節核心設備(bei)，石英坩堝、碳碳熱(re)場為主要耗材。直拉單(dan)晶(jing)爐：拉晶(jing)環節主設備(bei)，主要由爐體、電(dian)器部(bu)分、熱(re)系(xi)(xi)統、水冷系(xi)(xi)統、真空系(xi)(xi)統和(he)氬氣裝(zhuang)置組成。石(shi)英坩堝：拉制單(dan)晶(jing)硅棒(bang)的(de)消(xiao)耗性器皿，用于盛裝熔融狀態的(de)硅料，通常需要在一次或幾次拉晶(jing)完成后進行更換，屬(shu)于耗材(cai)屬(shu)性。碳(tan)(tan)碳(tan)(tan)熱(re)(re)場：碳(tan)(tan)碳(tan)(tan)熱(re)(re)場主(zhu)要指碳(tan)(tan)纖(xian)維單晶(jing)爐熱(re)(re)場，包括坩(gan)(gan)堝、導(dao)流筒(tong)(tong)保溫筒(tong)(tong)、加熱(re)(re)器，其中坩(gan)(gan)堝的(de)(de)作(zuo)用(yong)是承載內層的(de)(de)石英坩(gan)(gan)堝；導(dao)流筒(tong)(tong)的(de)(de) 作(zuo)用(yong)引(yin)導(dao)氣流，形成溫度梯度，提升硅棒生(sheng)長的(de)(de)速率；保溫筒(tong)(tong)的(de)(de)作(zuo)用(yong)是隔熱(re)(re)保溫，構建(jian)熱(re)(re)場空(kong)間；加熱(re)(re)器的(de)(de)作(zuo)用(yong)是提供熱(re)(re)源，熔化硅料。真(zhen)空(kong)泵：用(yong)于(yu)拉晶(jing)過程(cheng)中建(jian)立(li)真(zhen)空(kong)環境(jing)。切片(pian)(pian)環節設(she)備：切片(pian)(pian)機為核(he)心設(she)備，金剛線為主要耗材多線(xian)切(qie)(qie)片(pian)(pian)機為核心設備，金剛線(xian)為主要耗材。多線(xian)切(qie)(qie)片(pian)(pian)機：切(qie)(qie)片(pian)(pian)機是(shi)通過(guo)電(dian)機驅(qu)動(dong)工作輥往復運(yun)(yun)動(dong)，工件以(yi)給定的(de)速度(du)向下(xia)運(yun)(yun)動(dong)，使金剛石線(xian)與切(qie)(qie)割件保持一定的(de)壓(ya)力，通過(guo)往復運(yun)(yun) 動(dong)的(de)金剛石線(xian)達到(dao)切(qie)(qie)割的(de)目的(de)。金剛(gang)線：金剛(gang)石線是通過(guo)一定的(de)方法將金剛(gang)石微(wei)粉顆粒均勻地固結在高強度鋼線基體(ti)上制成的(de)，是光(guang)伏硅片、藍(lan)寶石等(deng)硬(ying)脆材料切割過(guo) 程中所使用的(de)耗材。截(jie)(jie)斷(duan)機(ji)(ji)(ji)、開方(fang)機(ji)(ji)(ji)、倒磨(mo)機(ji)(ji)(ji)：截(jie)(jie)斷(duan)機(ji)(ji)(ji)是使用(yong)(yong)(yong)金剛(gang)線(xian)對(dui)硅(gui)棒進行(xing)截(jie)(jie)斷(duan)、去頭尾的設備；開方(fang)機(ji)(ji)(ji)是使用(yong)(yong)(yong)金剛(gang)線(xian)對(dui)硅(gui)棒進行(xing)開方(fang)加工的設備；倒磨(mo)主要用(yong)(yong)(yong)于硅(gui)棒外徑滾磨(mo)以獲得精確的直徑。清(qing)(qing)洗機(ji)(ji)、分(fen)選機(ji)(ji)：清(qing)(qing)洗機(ji)(ji)用于對硅(gui)片進行(xing)脫膠、清(qing)(qing)洗；分(fen)選機(ji)(ji)是對清(qing)(qing)洗后的硅(gui)片會被進行(xing)不(bu)同等級的篩選。
電池片(pian)設備
電池片環(huan)節：光(guang)、電損失是影響(xiang)電池效率(lv)的核心因素(su)PN結(jie)是光(guang)伏電池的(de)基本(ben)結(jie)構 。光(guang)伏發電原理是利用光(guang)生(sheng)伏特效(xiao)應，在PN結(jie)上形(xing)成電位差。P型電池是在P型硅(gui)(gui)片里面摻入磷元素(su)（擴(kuo)(kuo)磷）形(xing)成PN結(jie)，N型電池是在N 型硅(gui)(gui)片中摻入硼元素(su)（擴(kuo)(kuo)硼）形(xing)成PN結(jie)。光學損(sun)失(shi)和電學損(sun)失(shi)是影響光伏電池轉換效(xiao)率的(de)兩大因素。光(guang)學損失：1）電池前表面太(tai)陽光(guang)反射損失；2）金屬柵線遮擋太(tai)陽光(guang)損失。電(dian)(dian)(dian)學損(sun)失(shi)：1）電(dian)(dian)(dian)子空穴復(fu)合損(sun)失(shi)：復(fu)合速(su)率越低，電(dian)(dian)(dian)池(chi)效率越高；2）電(dian)(dian)(dian)阻(zu)損(sun)失(shi)：包括(kuo)串(chuan)聯電(dian)(dian)(dian)阻(zu)損(sun)失(shi)（硅片(pian)基體電(dian)(dian)(dian)阻(zu)、擴(kuo)散方塊電(dian)(dian)(dian) 阻(zu)、柵線電(dian)(dian)(dian)阻(zu)和接觸電(dian)(dian)(dian)阻(zu)），并聯電(dian)(dian)(dian)阻(zu)損(sun)失(shi)（硅片(pian)雜(za)質過(guo)多，硅片(pian)邊緣刻蝕(shi)），并聯電(dian)(dian)(dian)阻(zu)越大越好，串(chuan)聯電(dian)(dian)(dian)阻(zu)越小越好。減(jian)少光學(xue)損失(shi)和電學(xue)損失(shi)是光伏電池片技術迭代的核心(xin)邏輯(ji) 。減少光學(xue)反(fan)射損失方法：制絨、增加(jia)減反(fan)射膜（通常(chang)為(wei)氮化硅）、改進金屬(shu)柵線電極形狀。降低(di)電(dian)(dian)學損失方(fang)法(fa)：1）降低(di)電(dian)(dian)子空穴(xue)復合速率：沉積(ji)鈍化層、增加鋁背(bei)電(dian)(dian)場、淺結設(she)計；2）降低(di)電(dian)(dian)阻(zu)損失：邊緣刻蝕增加并聯(lian)電(dian)(dian) 阻(zu)、SE局部高摻雜降低(di)串聯(lian)電(dian)(dian)阻(zu)。電池片(pian)環節趨勢：產(chan)業當前從PERC轉向(xiang)TOPCon、HJT階段(duan)產業當(dang)前(qian)從(cong)PERC轉(zhuan)向TOPCon、HJT階段。從(cong)產業化(hua)看，電池片(pian)經歷了(le)從(cong)AI-BSF到(dao)PERC，目(mu)前(qian)正向TOPCON、HJT轉(zhuan)變(bian)。2015年之(zhi)前(qian)(qian)，主流電(dian)池(chi)(chi)是鋁背場電(dian)池(chi)(chi)（AI-BSF），目(mu)前(qian)(qian) 基本已被淘汰；2016年，PERC電(dian)池(chi)(chi)技術逐步替代AI-BSF，成為(wei)市場主流電(dian)池(chi)(chi)技術,但(dan)其轉換效率(lv)已接(jie)近上限(xian)。目(mu)前(qian)(qian)N型(xing)電(dian)池(chi)(chi)成為(wei)未 來電(dian)池(chi)(chi)發(fa)展的主要方向。N型電(dian)(dian)池(chi)(chi)主要類型有TOPCON、HJT 、IBC。從(cong)研(yan)究方向看，鈣(gai)鈦礦(kuang)(kuang)疊層(ceng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)為前沿研(yan)究方向。鈣(gai)鈦礦(kuang)(kuang)電(dian)(dian)池(chi)(chi)是將ABX3作為吸光(guang)層(ceng)制成(cheng)的薄膜型太陽能電(dian)(dian)池(chi)(chi)。鈣(gai)鈦礦(kuang)(kuang)電(dian)(dian)池(chi)(chi)能有效地 利用(yong)紫(zi)外和藍綠可見光(guang)，晶硅電(dian)(dian)池(chi)(chi)可以(yi)有效地利用(yong)紅外光(guang)。將鈣(gai)鈦礦(kuang)(kuang)與HJT、IBC等晶硅電(dian)(dian)池(chi)(chi)疊層(ceng)，可以(yi)更高(gao)效吸收光(guang)譜(pu)，進一(yi)步提 升光(guang)伏電(dian)(dian)池(chi)(chi)轉換效率。TOPCon技術變(bian)革(ge)：LPCVD雙插、雙面PE-POLYLPCVD雙插(cha)、雙面(mian)PE-POLY或將成(cheng)為 TOPCon下一(yi)個技術變革點 。PECVD路(lu)線占比約(yue)53%，占比較高：目前(qian)在(zai) 建(jian)+在(zai)產的TOPCon產能中，43%的廠商選擇 了LP，主(zhu)要用戶為晶(jing)科和捷泰；PECVD路(lu)線占比約(yue)53%，主(zhu)要廠商包括潤陽、沐邦、 通威(wei)和天合；另有(you)4%客戶選擇了PVD。TOPCon激光(guang)SE技(ji)術(shu)已實現(xian)大幅突破，有望(wang) 進一步提(ti)高TOPcon效率：激光(guang)SE技(ji)術(shu)相較(jiao) TOPCon二次硼擴(kuo)工藝簡單、成本低，且能夠(gou)進一步提(ti)高效率。目前TOPCon提(ti)效大約 在 0.2% ， 未 來(lai) 有 望(wang) 提(ti) 高 到 0.4% ， 預 期 TOPCon激光(guang)SE技(ji)術(shu)有望(wang)快(kuai)速(su)發展，成為(wei) TOPCon技(ji)術(shu)標配。LPCVD雙(shuang)插、雙(shuang)面(mian)POLY是未(wei)來主(zhu)要(yao)技術(shu)革(ge) 新點：LPCVD雙(shuang)插能(neng)夠在提高產能(neng)的(de)同時 減(jian)輕繞鍍，目前晶(jing)科、捷泰、正(zheng)泰正(zheng)在快 速 導(dao) 入 ；雙(shuang)面(mian) PE-POLY 有 望(wang) 進 一 步(bu) 提 高 TOPCon效率0.5%-1%，目前已(yi)有廠商(shang)在進行布局，預期明年有望(wang)推(tui)向市場。鈣鈦(tai)礦：提高穩定(ding)性，大面積制備是當前難點提(ti)高穩定(ding)性(xing)，大(da)面(mian)(mian)積制(zhi)備鈣(gai)鈦(tai)礦(kuang)電池(chi)是當前難(nan)點。穩定(ding)性(xing)弱(ruo)、難(nan)以大(da)面(mian)(mian)積制(zhi)備是制(zhi)約鈣(gai)鈦(tai)礦(kuang)電池(chi)產(chan)業化主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)原因。穩定(ding)性(xing)弱(ruo)主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)系(xi)鈣(gai)鈦(tai)礦(kuang)是離(li)子型的晶體，內(nei)(nei)部缺(que)陷(xian)較多，離(li)子在(zai)內(nei)(nei)部 擴散導致性(xing)能下降，整體穩定(ding)性(xing)和電池(chi)壽(shou)命較弱(ruo)；難(nan)以大(da)面(mian)(mian)積制(zhi)備主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)系(xi)：1）電池面積增加后，鈣鈦(tai)礦(kuang)電池串聯電阻增長明(ming)顯(xian)；2） 鈣鈦(tai)礦(kuang)層大(da)面積制(zhi)備(bei)均勻性較差，目(mu)前(qian)主(zhu)要有溶(rong)液涂(tu)布(bu)(bu)法和(he)真空鍍膜法。狹縫(feng)(feng)涂(tu)布(bu)(bu)為(wei)目(mu)前(qian)鈣鈦(tai)礦(kuang)層制(zhi)備(bei)主(zhu)流方(fang)法。溶(rong)液涂(tu)布(bu)(bu)是將液態涂(tu)布(bu)(bu)物質涂(tu)到基底上，通過干(gan)燥固化形成鈣鈦(tai)礦(kuang)層，包括狹縫(feng)(feng)涂(tu)布(bu)(bu)、刮刀(dao) 涂(tu)布(bu)(bu)、超聲噴(pen)涂(tu)和(he)噴(pen)墨打印，其中狹縫(feng)(feng)涂(tu)布(bu)(bu)為(wei)目(mu)前(qian)主(zhu)流量產方(fang)式。該方(fang)法優(you)點是成本低、設備(bei)兼容度高(gao)、原(yuan)料利用率高(gao)，缺點是大(da)面 積制(zhi)備(bei)均勻性較差。真空(kong)鍍(du)膜(mo)(mo)能夠解決均勻性問題，目(mu)前仍有(you)難度(du)需要突(tu)破(po)。真空(kong)鍍(du)膜(mo)(mo)是在高真空(kong)環(huan)境(jing)下將靶材以氣相的形式沉積到(dao)基底(di)，形成鈣鈦礦(kuang)層， 包括蒸發(fa)鍍(du)膜(mo)(mo)、磁控濺射鍍(du)膜(mo)(mo)（PVD）、等離子源(yuan)鍍(du)膜(mo)(mo)（RPD），目(mu)前蒸鍍(du)法(fa)(fa)(fa)為主流(liu)方法(fa)(fa)(fa)，該方法(fa)(fa)(fa)的優(you)點是大面積制備均勻性好(hao)，缺點 是目(mu)前設(she)備成本(ben)高，鍍(du)膜(mo)(mo)速率低(di)，備對于鈣鈦礦(kuang)層配方調整(zheng)的兼容度(du)低(di)、目(mu)前效率記錄低(di)于溶液法(fa)(fa)(fa)。
組件設備
組(zu)件工藝及設備：串焊機為核(he)心設備，價值(zhi)量占(zhan)比約(yue)30%+組件設備(bei)價值量(liang)：組件設備(bei)投(tou)資額(e)約0.65億(yi)元/GW，其中串(chuan)焊機、層壓機設價值量(liang)占比較高。組件設備(bei)技(ji)術(shu)趨(qu)勢(shi)：多(duo)主柵、無主柵技(ji)術(shu)趨(qu)勢(shi)明顯(xian)組件(jian)環節呈現多主(zhu)柵(zha)、無(wu)主(zhu)柵(zha)的(de)技(ji)(ji)術發(fa)展趨(qu)勢，對應帶動(dong)設備更新迭代 。無(wu)主(zhu)柵(zha)：取消傳(chuan)統的(de)主(zhu)柵(zha)，用銅(tong)絲焊帶直接(jie)(jie)連接(jie)(jie)細(xi)柵(zha)，達到匯集電(dian)(dian)流(liu)、連接(jie)(jie)電(dian)(dian)池(chi)片(pian)的(de)目的(de)。驅動(dong)力：降低銀漿耗量是目前降低光伏電(dian)(dian)池(chi)片(pian)成(cheng)本(ben)關鍵(jian)，因此催(cui)生無(wu)主(zhu)柵(zha)技(ji)(ji)術發(fa)展。優勢：1）節約(yue)銀(yin)漿(jiang)：無主(zhu)(zhu)柵結(jie)構及(ji)采(cai)用銅(tong)絲(si)(si)焊(han)(han)帶(dai)(dai)可(ke)節約(yue)銀(yin)漿(jiang)；2）可(ke)實(shi)現低溫(wen)焊(han)(han)接(jie)；無主(zhu)(zhu)柵通(tong)常用銅(tong)絲(si)(si)焊(han)(han)帶(dai)(dai)，可(ke)實(shi)現較(jiao)低120℃焊(han)(han)接(jie)， 傳統錫鉛合(he)金焊(han)(han)帶(dai)(dai)的熔點在(zai)180℃;3）無主(zhu)(zhu)柵可(ke)減少正面(mian)遮(zhe)擋。無(wu)主(zhu)柵技術方案(an)：1）SmartWire；2）點(dian)膠方案(an)；3）先焊接后點(dian)膠。
對設備的(de)影響(xiang)：1）若采用SmartWire，設備變(bian)成復(fu)合(he)機(ji)(ji)（銅(tong)絲與薄膜復(fu)合(he)）+新(xin)型串(chuan)焊(han)機(ji)(ji)（預壓）+層(ceng)壓機(ji)(ji)（焊(han)接(jie)）；2）若點膠，需要全(quan) 新(xin)的(de)串(chuan)焊(han)機(ji)(ji)設備。
